test(실험) 8결과보고서. MOSFET의 속성
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작성일 20-08-23 12:00
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이는 일정 Vg에 대하여 VD가 증가함에 따라 어느 순간 포화영역에 도달했…(skip)
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설명
실험결과/기타
test(실험) 8결과보고서. MOSFET의 속성
다.
순서
test(실험) 8결과보고서. MOSFET의 속성
전자회로 설계 및 實驗(실험)
`實驗(실험) 8. MOSFET의 特性`
결과보고서
1. 實驗(실험) 목적
1. 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정(測定) 해 본다.
2. MOS 소자의 特性 커브를 측정(測定) 해 보고, 이를 통해서 MOS의 여러 特性에 대해 알아본다.
2. MOS 소자의 特性 커브를 측정(測定) 해 보고, 이를 통해서 MOS의 여러 特性에 대해 알아본다.
2. 實驗(실험) 결과
출력 特性
(mA)
(mA)
3.5
1
0.020
3.1
10
0.007
3.5
2
0.188
3.2
10
0.036
3.5
3
0.289
3.3
10
0.118
3.5
4
0.389
3.4
10
0.327
3.5
5
0.486
3.5
10
0.820
3.5
6
0.576
3.6
10
0.997
3.5
7
0.608
3.7
10
1.000
3.5
8
0.610
3.8
10
1.000
3.5
9
0.612
3.9
10
1.000
3.5
10
0.613
4.0
10
1.001
...
전자회로 설계 및 實驗(실험)
`實驗(실험) 8. MOSFET의 特性`
결과보고서
1. 實驗(실험) 목적
1. 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정(測定) 해 본다.
2. 實驗(실험) 결과
출력 特性
(mA)
(mA)
3.5
1
0.020
3.1
10
0.007
3.5
2
0.188
3.2
10
0.036
3.5
3
0.289
3.3
10
0.118
3.5
4
0.389
3.4
10
0.327
3.5
5
0.486
3.5
10
0.820
3.5
6
0.576
3.6
10
0.997
3.5
7
0.608
3.7
10
1.000
3.5
8
0.610
3.8
10
1.000
3.5
9
0.612
3.9
10
1.000
3.5
10
0.613
4.0
10
1.001
출력 저항
(mA)
4.95
3.35
0.619
500k
제어特性
5V
10V
2V
0.5
0.008
0.003
0.013
1.0
0.008
0.003
0.xxx
1.5
0.008
0.002
0.xxx
2
0.009
0.002
0.xxx
2.5
0.009
0.002
0.xxx
3
0.008
0.002
0.xxx
3.3
0.086
0.092
0.082
3.4
0.239
0.242
0.183
3.5
0.495
0.617
0.188
4
0.504
1.001
0.190
4.5
0.504
1.001
0.190
5
0.504
1.001
0.190
3. 결과 analysis(분석) 및 토의
출력特性
VD가 증가시킴에 따라 Id가 증가하다가, 어느 특정 값을 넘어서면 Id 값이 일정하게 유지되는 것을 확인할 수 있었다.
