재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
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작성일 20-06-13 23:33
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(1) 기본원리
(1) EDS 개요
3. ICDD card
재료의 조성 측정(measurement)방법
(1) ICP-MS란?
(4) 충전효능(charging effect)
3. 분해반응속도 항수의 계산
(1) 장치 구성
1. X-선 회절의 조건은?
(4) 분석방법
(1) 기본원리
1) X-ray 발생장치(X-ray Generator)
(3) 기존 장비와의 비교
설명
3. 분석에 이용하는 X-ray는?
(3) AES분석의 종류
(7) advantage과 단점
순서
2. TG 미분곡선
8. ICP-MS (Inductively Coupled Plasma)
조성측정방법 , XRD , TGA , DTA , FTIR , AES , EDS , XRF , ICP-MS , AAS
(3)XRD 시스템
(4) FTIR에서의 Sampling 기법
2. Direction of Diffracted Beam
(3) 감도 및 검출 한계
(2) ESCA 장치의 주요 구조
(1) X-선 형광이란
3) 계수기록장치(Electronic Circuit Panel)
1. 분말X선회절법에 의한 동정법의 특징
1. X-ray란?
Reference
(3) EDS를 이용한 원소의 정량분석
(5) 주요 적용 범위
여러가지 측정 방법에 대한 원리, 실험방법, 적용범위
7. XRF (X-Ray Flourescence Spectrometry)
2. X-ray의 발생
(3) DTA peak 해석
9. AAS (atomic absorption spectroscopy)
4. 전형적인 TG-curve
(3) 광전자 스펙트럼 (Photoelectron spectrum)
3. 미분곡선을 이용하는 이점
4)Filter
(4) 측정(measurement) 방법
재료의 조성 측정방법
(2)Bragg’s Law
5. AES(Auger Electron Spectroscopy)
1. 조성의 분석
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS) 여러가지 측정 방법에 대한 원리, 실험방법, 적용범위 재료의 조성 측정방법
(1) 장치 구성
(4) 시차온도곡선의 이해
(4) 화학적 이동 (Chemical shift)
(2) AAS의 구성
(3) XRF의 종류
4. FTIR (Fourier transform infrared spectroscopy)
2. TGA (ThermoGravimetric Analysis)
(2) XRF의 이용
(4)XRD 實驗(실험)방법
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3. DTA (Differential Temperature Analyzer)
(4) 적용범위
레포트 > 공학,기술계열
(5) 정량 분석 (Quantitative analysis)
(2) AES/SAM의 구조
6. EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)
(1)X-ray 기본원리
4. 색인서(Index book)
(2) 구성장치
4. 응용예
(5) DTA의 특징
1. XRD (X-ray Diffraction)
(2) FTIR의 특성(特性)
1. TG 곡선의 의미
2. 열안정성
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
(3) FTIR의 구성
(3) TG의 가중기법
(1) AAS원리
10. XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
(6) 시료 준비
2. X선에 의한 동정법의 한계
1. XRD 구성
2). Goniometer
(2) 결과 분석
(5) 분석방법
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
(2) EDS를 이용한 정成分석
(2) 전자저울 종류
(1) 기본원리
다.
