에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득
페이지 정보
작성일 22-02-18 16:41본문
Download : 에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득.ppt
신호발생을 증폭기입력단자에 접속하고, 오실로스코프의 수직입력단자를 증폭기의 출력단자에 연결한다.
베이스는 입력신호가 transistor(트랜지스터) 의 선형부분에서 동...
에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득
實驗목적
(1)전압 분배바이어스를 이용하여 에미터 공통교류증폭기를 구성한다.
(7)…(skip)
에미터,공통증폭기,바이어스와,이득,기타,실험결과
설명
실험결과/기타
다.
에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득 , 에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득기타실험결과 , 에미터 공통증폭기 바이어스와 이득
에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득
에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득
Download : 에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득.ppt( 13 )
순서
에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득
實驗목적
(1)전압 분배바이어스를 이용하여 에미터 공통교류증폭기를 구성한다.(약 2분동안)
이 때 파형과 peak-to-peak 진폭을 측정(measurement)하고, IC , VBE , VCE 를 측정(measurement)하여 표 12.1에 기록한다.
(2)에미터 공통증폭기의 전압이득을 측정(measurement)한다.
(3)전압이득
에미터 공통 증폭기는 전류 전압 및 전력 증폭기로 이용할 수 있다
전압이득은 입력신호에 대한 출력신호의 비로 定義(정의)된다
즉,
전압이득=Vout/Vin
實驗과정
그림 12.6 회로를 구성한다.
(2)바이어스 방법과 안정화
증폭기는 의곡이 없는 증폭기를 얻는 것이 필요하다.
(2)바이어스 방법과 안정화
증폭기는 의곡이 없는 증폭기를 얻는 것이 필요하다.
60W 전구로 transistor(트랜지스터) 를 가열한다. 컬렉터전류 IC 를 측정(measurement)하여 표 12.1에 기록한다.
實驗기기 및 재료
(1)직류전원장치, 오실로스코프, 함수발생기
(2)저항 :560Ω, 1KΩ, 8.2kΩ, 18kΩ, 220kΩ
1/2W
(3)콘덴서 :22μF 50V, 100μF 50V
(4)transistor(트랜지스터) :2N6004
(5)스위치
理論(이론)
(1)AC증폭기로서의 transistor(트랜지스터)
에미터 공통 증폭기의 전류이득은 β로 표시하며 다음과 같이 定義(정의)한다.
β = IC/ IB
Β를 얻기 위한 바이어스 조건은
①에미터-베이스 접합은 순방향 바이어스이고,
②컬렉터-베이스 접합은 역방향 바이어스이다.또 IC , VBE , VCE 를 측정(measurement)하고 파형을 측정(measurement)하여 표 12.1에 기록한다.
(6)전원을 OFF한다.
實驗기기 및 재료
(1)직류전원장치, 오실로스코프, 함수발생기
(2)저항 :560Ω, 1KΩ, 8.2kΩ, 18kΩ, 220kΩ
1/2W
(3)콘덴서 :22μF 50V, 100μF 50V
(4)transistor(트랜지스터) :2N6004
(5)스위치
理論(이론)
(1)AC증폭기로서의 transistor(트랜지스터)
에미터 공통 증폭기의 전류이득은 β로 표시하며 다음과 같이 定義(정의)한다.
베이스는 입력신호가 transistor(트랜지스터) 의 선형부분에서 동작하도록 적절히 바이어스가 되어야 한다.
(3)증폭기 이득에 관한 에미터 바이패스 커패시터의 influence을 observation한다.
(2)에미터 공통증폭기의 전압이득을 측정(measurement)한다.
β = IC/ IB
Β를 얻기 위한 바이어스 조건은
①에미터-베이스 접합은 순방향 바이어스이고,
②컬렉터-베이스 접합은 역방향 바이어스이다.
입-출력파형의 peak-to-peak진폭을 측정(measurement)하여 표 12.1에 기록한다.
(3)증폭기 이득에 관한 에미터 바이패스 커패시터의 influence을 observation한다. 그림 12.7 회로를 구성한다.
전원을 ON한다.