[전자재료실험] MOS Capacitor
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작성일 19-09-16 03:53
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2. test(실험) 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효율 transistor(트랜지스터) (MOSFET)을 발명했다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 cpacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 test(실험) 에서 제작할 소자이다. 이는 이전 transistor(트랜지스터) 에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자Engineering에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다.
3. test(실험) 理論(이론)
Si-wafer
① Si의 characteristic(특성)
실리콘은 일반적으로 규소-규소 결합이 아주 불안정하기 때문에 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은…(투비컨티뉴드 )
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설명
다.[전자재료실험] MOS Capacitor
실험결과/전기전자
[전자재료실험],MOS,Capacitor,전기전자,실험결과
[전자재료실험] MOS Capacitor
- 목차 -
1. test(실험) 목적
···········
p. 2
2. test(실험) 배경
···········
p. 2
3. test(실험) 理論(이론)
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p. 2
① Si의 characteristic(특성)
···········
p. 2
② MOS Capacitor
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p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
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p. 8
4. test(실험) 방법
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p. 9
5. 결과 예측
···········
p. 11
6. 결과 분석
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p. 12
① C-V 결과 분석
···········
p. 12
② I-V 결과 분석
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p. 16
7. conclusion
···········
p. 19
8. bibliography
···········
p. 19
1. test(실험) 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 ...
- 목차 -
1. test(실험) 목적
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p. 2
2. test(실험) 배경
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p. 2
3. test(실험) 理論(이론)
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p. 2
① Si의 characteristic(특성)
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p. 2
② MOS Capacitor
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p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
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p. 8
4. test(실험) 방법
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p. 9
5. 결과 예측
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p. 11
6. 결과 분석
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p. 12
① C-V 결과 분석
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p. 12
② I-V 결과 분석
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p. 16
7. conclusion
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p. 19
8. bibliography
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p. 19
1. test(실험) 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정(測定) 하여 각각의 변수가 어떤 effect을 미치는지에 대하여 분석해 본다. 오늘날과 같은 디지털정보사회가 되기까지 마이크로프로세서와 같은 디지털 기술이 성장에 발맞추어 MOSFET기술 또한 빠르게 발전해 왔다.
