MOSFET[기초전자학]
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작성일 19-09-27 11:44
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Gate 밑 부분을 채널 이라 하며 채널의 전도성은 gate에 인가되는 전압에 의해 제어 된다된다.
반도체 영역은 대부분 transistor(트랜지스터) 역할을 하기 위해 표면이 단결정 실리콘으로 도핑 되어 있따 산화막은 실리콘 산화막 형태로 구성 되는데 금속막과 절연을 하는 기능을 한다. MOS transistor(트랜지스터) 는 디지털 회로에 광범위하게 쓰이는데 스위칭 기능이 매우 뛰어 나기 때문일것이다 이는 산화막에 의해 채널로 부터 절연되어 있기 때문에gate단에는 전류 소모가 없고 채널의 전도성은 gate에 전압 變化(변화)에 따라 작동 되기 때문일것이다
예를 들어 NMOS의 경우 주 Carri…(skip)
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레포트/공학기술
순서
다.
MOSFET 동작원리.
Source와 drain 이 P형 반도체 이고 표면이 N형 반도체일 경우 MOS transistor(트랜지스터) 는 P 채널 MOSFET 또는 PMOS라 불린며 source와 drain 이 N형 반도체 이고 표면이 P형 반도체일 경우 N 채널 MOSFET 또는 NMOS라 불린다. MOS transistor(트랜지스터) 의 source와 drain은 실리콘 표면에 생성되며 gate의 양쪽에 배치 되게 된다된다.
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설명
MOSFET 란
MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)또는 MOS 트랜지스는 금속막, 산화막,반도체영역으로 구성된 transistor(트랜지스터) 의 일종이다.MOS transistor(트랜지스터) 의 source와 drain이 실리콘 표면에 만들어지는 반면 gate는 금속막 층에 있게 된다된다. 금속막은 MOS transistor(트랜지스터) 에 전압을 인가하기 위한 지점으로 사용된다된다. Bipolar transistor(트랜지스터) 가 base에 인가되는 전류의 양에 따라 제어되는 것과는 다르게 MOS transistor(트랜지스터) 는 gate의 전압 수위에 따라서 제어 된다된다.
MOS transistor(트랜지스터) 는 gate, source, drain 3개의 터미널로 구성된다된다. 이것들은 각각 bipolar transistor(트랜지스터) 의 base, emitter, collector와 같다.Bipolar transistor(트랜지스터) 처럼 MOS transistor(트랜지스터) 를 통한 전류의 흐름은 gate에 인가 되는 전류에 따라 제어가 된다된다.
