[Engineering] 전자회로 설계 및 實驗 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
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작성일 20-09-07 09:02
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實驗(실험) 소요장비
계측기 - DMM
부품 - 저항 - 다이오드
1) 1kΩ , 2.2kΩ 1)Si , 2)Ge
-전원 (직류전원)
實驗(실험) 순서
1.문턱전압 VT
Si과 Ge 두 다이오드에 대상으로하여 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 문턱 전압을 특정하라.
이 實驗(실험)에서 얻어진 점화 전위는 그림에서 보여준 각 다이오드의 등가적 속성 을 나타낸다. 두 다이오드에서 얻어진
V값을 그림 3-2에 각각 기록하라. 만약 다이오드 검사기능 또...
전자회로 설계 및 實驗(실험) - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
實驗(실험) 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고
측정(測定) 한다.
實驗(실험) 소요장비
계측기 - DMM
부품 - 저항 - 다이오드
1) 1kΩ , 2.2kΩ 1)Si , 2)Ge
-전원 (직류전원)
實驗(실험) 순서
1.문턱전압 VT
Si과 Ge 두 다이오드에 대상으로하여 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 문턱 전압을 특정하라.
이 實驗(실험)에서 얻어진 점화 전위는 그림에서 보여준 각 다이오드의 등가적 속성 을 나타낸다.
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[Engineering] 전자회로 설계 및 實驗 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
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실험결과/기타
전자회로 설계 및 實驗(실험) - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
實驗(실험) 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고
측정(測定) 한다. 두 다이오드에서 얻어진
V값을 그림 3-2에 각각 기록하라. 만약 다이오드 검사기능 또는 커브 트레이서를 이용할 수 없다면 Si와 Ge에
대하여 각각 VT 〓 0.7 , 0.3V 로 가정하라
VT 〓 0.573 (측정(測定) 값)
2.직렬구조
a) 다음과 같이 회로를 구성하라. 저항 R값을 측정(測定) 하고 기록하라.
R(meas) 〓 2.168kΩ
b) 순서 1에서 측정(測定) 한 Si 다이오드의 문턱 전압과 R의 측정(測定) 값을 이용하여 VO와 ID의 理論(이론)적인 값을 계산하라.
VD에 대상으로하여는 VT 값을 기입하라.
VD 〓 VT 〓 0.573V
VO(계산값) ＝ 5V - 0.573V 〓 4.427V
ID(계산값) 〓 ID 〓 VO / R 〓 4.427 / 2.168K 〓 0.002 A
c) DMM으로 전압 VD와 VO를 측정(測定) 하고, 측정(測定) 값 으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(b)의 결과와 비교하라.
VD (측정(測定) 값) 〓 0.623mV
VO (측정(測定) 값) 〓 4.444V
ID (측정(測定) 값으로부터) 〓 VO/R 〓 0.002A
d. 다음…(drop)
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[Engineering] 전자회로 설계 및 實驗 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
순서
다.
